工業(yè)和信息化部科技司2019年5月20日發(fā)布的《電子行業(yè)7項行業(yè)標準、29項國家標準及2項國家標準修改單報批公示》顯示：

　　《基板式(COB)LED空白詳細規(guī)范》《芯片級封裝(CSP)LED空白詳細規(guī)范》2項行業(yè)標準、《半導體發(fā)光二極管光輻射安全 第1部分:要求與等級分類方法》《半導體發(fā)光二極管光輻射安全 第2部分:測試方法》《發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測試方法》3項國家標準的制訂工作已經(jīng)完成。

　　目前正處于公示階段，公示時間：2019年5月20日—2019年6月19日。

　　標準編號：SJ/T 11733-2019

　　標準名稱：基板式（COB）LED空白詳細規(guī)范

　　標準主要內(nèi)容：

　　本標準規(guī)定了基板式(COB)LED的技術(shù)要求，主要內(nèi)容包括COB LED的一般要求、極限值、光電特性、試驗條件和試驗方法及檢驗要求等。

　　標準編號：SJ/T 11734-2019

　　標準名稱：芯片級封裝（CSP）LED空白詳細規(guī)范

　　標準主要內(nèi)容：

　　本標準規(guī)定芯片級封裝(CSP)LED的技術(shù)要求，主要內(nèi)容包括COB LED的一般要求、極限值、光電特性、試驗條件和試驗方法及檢驗要求等。

　　計劃編號：20100031-T-339

　　標準名稱：半導體發(fā)光二極管光輻射安全 第1部分:要求與等級分類方法

　　標準主要內(nèi)容：

　　本標準規(guī)定了半導體發(fā)光二極管的光輻射安全要求與危險等級分類方法。本標準適用于光輻射波長為近紫外和可見光區(qū)域(300～780 nm)的單芯片或多芯片LED。

　　計劃編號：20100032-T-339

　　標準名稱：半導體發(fā)光二極管光輻射安全 第2部分:測試方法

　　標準主要內(nèi)容：

　　本標準規(guī)定了半導體發(fā)光二極管的光輻射安全的測試方法，適用于光輻射波長為近紫外和可見光區(qū)域(300～780 nm)的單芯片或多芯片LED。

　　計劃編號：20151774-T-339

　　標準名稱：發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測試方法

　　標準主要內(nèi)容：

　　本標準規(guī)定了由單個、多個發(fā)光二極管(簡稱LED)芯片或器件組成的LED模塊熱特性瞬態(tài)測試方法。本標準適用于單個、多個LED芯片或器件封裝而成的模塊，以及LED芯片或器件和其他微電子器件構(gòu)成的模塊熱特性測量。